快科技4月26日音尘足球外盘网站娱乐网，在近日举办的北好意思时期论坛上，台积电初次公开了N2 2nm工艺的颓势率(D0)情况，比此前的7nm、5nm、3nm等历代工艺齐好的多。

台积电莫得给出具体数据，仅仅相比了几个工艺颓势率随时候变化的趋势。

台积电N2初次引入了GAAFET全环绕晶体管，现在距离大规模量产还有2个季度，也即是要比及年底。

N2试产近2个月来，颓势率和同期的N5/N4差未几，还稍许低小数，同期显贵优于N7/N6、N3/N3P。

从试产到量产半年的时候周期内，N7/N6的空洞颓势率是最高的，N3/N3P从量产启动就低得多了，N5/N4情况更好，从试产启动就彰着更低。

N2若是能接续N5/N4的趋势，出路无疑是荒谬光明的。

台积电还指出，一种工艺的颓势率能否快速缩小，除了取决于自己的贪图和时期，也要看制造芯片数目、产能规模，越多越大就越容易发现颓势并更始。

台积电N2已流片的芯片数目就彰着更多，亦然其省略快速缩小颓势率的要道原因。

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